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高性能エッチング液

高性能エッチング液は、半導体素子製造、プリント基板製造などの半導体分野の製造や結晶シリコン型太陽電池の製造において用いられます。 当社では、高い金属選択性を有するエッチング液を取り揃えております。 お客様の用途に応じてお選びいただきご利用下さい。

ウェットエッチング技術

 エッチング技術には、ウエットエッチングおよびドライエッチングの二つの方法があります。 一般的な製造では、装置、薬品が安価であり、一度に大量の基板を処理できるという理由からウエットエッチングが用いられます。その一方で、ドライエッチングと比較すると、微細な加工を要求される場面において、精度の高い加工が難しく、再現性に乏しいと言われてきました。近年、基板パターンの微細化が進み、従来のエッチング液(酸、アルカリおよび過酸化水素水)では対応できなくなってきております。当社では、この従来のウエットエッチングの問題点を解決し、対象となる金属種に適応した高性能エッチング液を取り扱っております。

高性能エッチング液の特徴

 高性能エッチング液の特徴として下記が挙げられます。

  • エッチング条件(温度、撹拌速度など)で容易にエッチングレートをコントロール可能。
  • 微細な加工に対して均一性、再現性に優れる。
  • 部材(母材)に対するダメージが少ない。
  • ディップ、スピナーおよびスプレー方式の何れの装置でも使用可能。
  • 金属選択性が高い。

 

例1) 高性能Cuエッチング液 (CuE-3000M)

金属 Al Ag Ni Sn

Sn/Ag

(97/3)

Ti

Ti/W

(1/9)

相対エッチング速度(Cu=100) <0.01 5.2 <0.01 <0.01 <0.01 <0.01 <0.01

* 混合割合 CuE-3000M : 31% 過酸化水素水 = 100 : 1.5

 

例2) 高性能Tiエッチング液 (TCL-typeCP)

金属 Al Ag Au Cu Ni Si SiN TiW
相対エッチング速度(Ti=100) 8 <1 <1 <1 <1 <1 <1 220

* 混合割合 31% 過酸化水素水 : TCL-2 typeCP = 7 : 3

 

お客様の用途に応じてご利用下さい。

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